2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm:首发GAA工艺

2020年11月22日 | By News | Filed in: News.

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在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先。然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。从2019年开始,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元(约合1160亿美元)成为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。

在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

最新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。

值得一提的是,台积电也似乎感受到了三星的压力,原本计划2024年才推出2nm工艺,现在研发顺利,2023年下半年就准确试产了。

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November 17, 2020 at 05:05PM


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