携手SiFive:格罗方德将于2020上半年完成HBM2E芯片设计方案

2019年11月6日 | By News | Filed in: News.

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格罗方德(GlobalFoundries)与 SiFive 周二宣布,两家公司将共同开发基于 12LP / 12LP+ FinFET 工艺的 HBM2E 存储器。打包的这一 IP,使得 SoC 设计人员能够将 HBM2E 快速集成到需要大量带宽的芯片设计中。具体说来是,两家公司的 HBM2E 实施方案包括了格罗方德设计的 2.5D 封装(中间层),以及 SiFive 开发的 HBM2E 接口层。

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November 6, 2019 at 10:25AM


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