三星已可实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存

2016年8月12日 | By News | Filed in: 未分类.

Source: http://www.cnbeta.com/articles/528491.htm

在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.


Comments are closed here.