英特尔和美光宣布3D Xpoint记忆芯片

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英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片，称它比Flash记忆芯片更快（速度提升1000倍），能比DRAM芯片储存更多数据（但没DRAM快），功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破，但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了，但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。英特尔和美光花了超过10年时间研究3D Xpoint技术，两家公司在美国犹他州投资建立了一座工厂去生产3D Xpoint芯片样品。