英特尔和美光宣布3D Xpoint记忆芯片

2015年7月29日 | By News | Filed in: News.

Source: http://solidot.org.feedsportal.com/c/33236/f/556826/s/488565f9/sc/27/l/0L0Ssolidot0Borg0Cstory0Dsid0F44931/story01.htm

英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片,称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍),能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快),功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破,但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了,但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。英特尔和美光花了超过10年时间研究3D Xpoint技术,两家公司在美国犹他州投资建立了一座工厂去生产3D Xpoint芯片样品。


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