Hynix研发垂直堆叠内存 带宽256GB/ s

2014年10月1日 | By News | Filed in: News.

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Hynix正在和AMD联合研发高带宽的内存HBM,它采用堆叠DRAM设计,采用和处理器相同的封包。目前也已经有JEDEC标准管理接口。现在,Hynix官方公布了这种内存的前瞻性演示幻灯片。根据幻灯片,Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上,采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连,有256个这样的通道,每一通道带宽达到1Gbps,总带宽达到了惊人的128GB/秒。目前,GeForce GTX750 Ti显存界面带宽仅有86GB/s。




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