三星发布第二代32层3D立体堆叠闪存

2014年5月29日 | By News | Filed in: News.

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2013年8月，三星电子宣布批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。今天，三星又公布了第二代，堆叠的闪存竟然达到了32层，比第一代的24层又增加了三分之一。与此同时，三星还推出了一系列基于这种新闪存的固态硬盘，容量有128GB、256GB、512GB、1TB等不同规格，应用市场也从数据中心拓展到了高端PC。



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