中国科学家研制出半浮栅晶体管

2013年8月13日 | By News | Filed in: News.

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晶体管技术已经从追求速度转变到追求高能效,但能效改进多发生在制造工艺方面,晶体管本身的设计进展不多。复旦大学教授王鹏飞领导的团队在《科学》上发表报告,他们研制出名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件,能在一纳秒内切换栅,操作所需电力非常少。王鹏飞介绍,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件,过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限,半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。半浮栅晶体管的优势在于体积可更小,结构更简单,读写速度更快,且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。 半浮栅晶体管不但能应用于存储器,还可应用于主动式图像传感器芯片(APS),让新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上,并使图像传感器的分辨率和灵敏度得到提升。

    


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