http://www.cnbeta.com/articles/247452.htm
三星近日宣布已经成功开始量产3D“垂直NAND”（V-NAND）闪存芯片，突破了现有NAND闪存技术的种种限制。相比较现有NAND所采用的传统平面架构，三星目前采用了在芯片上进行垂直叠加的技术（最高能叠到24层）来实现更高密度的NAND闪存芯片，而不再需要继续进行平面缩放。
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三星近日宣布已经成功开始量产3D“垂直NAND”（V-NAND）闪存芯片，突破了现有NAND闪存技术的种种限制。相比较现有NAND所采用的传统平面架构，三星目前采用了在芯片上进行垂直叠加的技术（最高能叠到24层）来实现更高密度的NAND闪存芯片，而不再需要继续进行平面缩放。
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