[图]传输性能提升2倍 三星宣布成功量产3D“垂直NAND”闪存芯片

2013年8月6日 | By News | Filed in: News.

http://www.cnbeta.com/articles/247452.htm

三星近日宣布已经成功开始量产3D“垂直NAND”(V-NAND)闪存芯片,突破了现有NAND闪存技术的种种限制。相比较现有NAND所采用的传统平面架构,三星目前采用了在芯片上进行垂直叠加的技术(最高能叠到24层)来实现更高密度的NAND闪存芯片,而不再需要继续进行平面缩放。

    


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